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E+H 非接觸式晶片量測儀
l 非接觸式電容感應量測方式。
l 最小刻度為0.1μm，重覆性誤差0.1μm。
l 測量時間5sec,/wafer。
l 可測量Thickness、Flatness、Warp、Bow。
l 支援WafeMap 3D功能。
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