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用於次70奈米記憶體的金屬蝕刻機台
(Opus AdvantEdge)
就NAND快閃及DRAM記憶元件的次70奈米鋁連線蝕刻而言，Opus AdvantEdge金屬蝕刻系統相對於標準的4反應腔體金屬蝕刻機台，它提供一個製程最佳化的5反應腔體架構(3蝕刻，2剝離)。CD均勻度改善了50% (＜5奈米，3σ)，有2倍速的剝離速率並具有強化的腐蝕抵抗能力，加上提昇50% 的較高產能。該機台特點包括：獨特的晶圓溫度調節、可調整式的 RF功率以及特殊的蝕刻化學反應機制。
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