Icp-rie高密度電漿反應式離子蝕刻設備

針對2~6吋Ⅲ-Ⅴ族砷化鎵MMIC、GaN藍光LED、LD、VCSEL、HBT製
造廠商，提供高效能、高可靠度蝕刻製程全方位解決方案，將可支援各
種介電質蝕刻、高深寬比溝渠蝕刻、金屬蝕刻及GaN、InP、DBR等化合
物半導體蝕刻等應用。
此系統不但可滿足目前無線通訊、光纖寬頻元件的各項製程要求，還可
擴大應用於＜0.1微米線寬的晶片製程，此外，Cirie-200具備PC Based
全自動化操作功能，親和方便的使用介面、智慧型偵錯及全方位互鎖保
護設計，擁有良好的使用者成本及運轉成本，搭配Cluster Tool傳輸平
台，更可大幅提高工廠的效率與生產力。