超高產出單晶片原子氣相沉積技術AVD®

德國愛司強AIXTRON AG公司產品Tricent AVD®，原子氣相沉積系統，設計用於半導體原子層等級的薄膜沉積，特殊的Triject®藉由精確至微秒等級的micro injection裝置，可將每一次pulse精確控制其沉積厚度以達成優越的線性關係及超高速的產出，為ALD的3~10倍以上。針對多重組成的薄膜需求，AVD可藉由多組獨立控制的micro injection，對於原子等級的薄膜組成及模厚控制加以彈性操控，無論是單一組成(HfO2、ZrO2、TaN、Ru、Ir、TaCN)雙重組成(HfSiOx、HfZrOx、RuSiOx…)，三重組成(PZT、SBT)，甚至四重組成的薄膜需求，AVD皆具備優越的製程彈性。