Pecvd電漿輔助化學氣相沉積設備

Cede-200電漿輔助化學氣相沉積系統是套可升級支援200mm單晶圓、
可搭配多反應室的先進電漿介電質薄膜沈積製程設備，此系統可應用在
製作高均勻性(<3%)、高緻密性的氮化矽(SiNX)、氧化矽(SiO2)及碳化矽
(SiC)等高品質薄膜沉積，提供Ⅲ-Ⅴ族半導體製造過程中所需的階梯覆蓋
及隙縫填補能力，包括保護層、隔離層和介電絕緣層沉積等製程應用，
實為製造MMIC、VCSEL、藍光LED、LD等光電與通訊半導體元件的最
佳首選。 Cede-200具有多項先進的技術能力，能在200mm晶圓範圍內
提供均勻、低應力且無隙洞的薄膜沉積，其核心為採用倍強科技所獨特
設計的高性能、高可靠度的電漿源產生系統、經由精準的反應室進氣／
抽氣流體動力學數值模擬，設計出能在晶圓表面形成均勻的流場分佈、
及具先進多模熱傳導均溫控制功能的精密薄膜沉積環境，再藉由專有的
製程參數（如RF電漿功率、反應氣體流量、製程壓力、第二MF功率及電
漿清洗技術等等）之控制，都可讓使用者充份利用整片晶圓面積，擁有
最長的運轉時間，還可將薄膜缺陷與微粒數目減到最少，提高晶圓的整
體產能與製造良率。