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分子束磊晶MBE
iii-iv族化合物半導體材料的分子束磊晶俗稱MBE系統(Molecular beam
epitaxy)，MBE系統是在超高真空的環境下，利用高效率的蒸發源將材料
溶解並能精準的控制蒸發的速率，以微量的分子束型態，直接披附沉積
在晶片上，形成元素型或化合物型。分子束磊晶技術已被廣泛的應用在
各種光電和通訊電子元件結構的成長，如微波高速元件、半導體雷射、
發光二極體、光檢測器
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