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垂直疊層半導體雷射器
我們1cm的半導體雷射器晶片﹐是基於GaAs或InP的MOCVD生長技術﹐
產品由多個多模橫模發光區群組成﹐能提供小的光束發散角和窄的光譜寬
度。該產品的波長範圍是﹕790nm到830nm,910nm到980nm,1400nm
到1600nm.
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