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磁場砷化鎵高壓單晶爐
(MCZ-2800-96A型)
MCZ-2800-96A型磁場砷化鎵高壓單晶爐﹐是工業化生產GaAs單晶的主
要設備。設備投料量為28Kg﹐最大可到50Kg﹐適於4〃-6〃GaAs單晶
的生長﹐是新一代的高壓單晶爐。 本單晶爐用於在高壓環境下原位合成
GaAs後﹐降至中壓完成GaAs單晶的生長。

本合成爐爐室內腔尺寸優化設計為φ572×1200﹐最大工作壓力為
9.6Mpa﹐滿足晶體生長需要。設備的主爐室採用0Cr18Ni9不鏽鋼﹐按
高壓容器嚴格設計、製造及偵測。並可依據用戶需求﹐配備0-2000高斯
磁場強度可調的永磁場﹐達到等效微重力晶體生長能力。 設備配有進口
精密重量傳感器﹐採用進口研華586工控機和專門研制的計算機軟體用
於上稱重法控制晶體等徑生長。

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