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電漿輔助化學氣相沉積設備
(P100C)
P100C為一單反應腔型式，具有沉積SiO2, SiNx, SiOxNy, a-SixHy 等介
電質及多晶系薄膜功能之電漿輔助化學氣相沉積設備(PECVD)。此系統
除可提供低溫CVD製程需求，並具有良好之鍍膜品質，製程良率再現性
佳，成膜速率快且高膜厚均勻性(可達直徑160mm之範圍)。觸控式液晶
螢幕及電腦化之智慧型操作介面更可讓使用者方便的設定、存取製程參
數。P100C實為研究及製程開發或小型量產PECVD設備上之最佳選
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