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幹法刻蝕系統
干法刻蚀处理系统从硅晶片表面或晶片上的沉积物薄膜中去除材料，通
过暴露在等离子体中，反应室中产生一种高反应性的化学物质。在反应
中，不仅产生等离子体，而且还在原子水平控制存在于晶体表面的物理
化学反应。通过刻蚀过程，选择的材料从晶片或薄膜中被去除，它决定
了剩余材料的剖面和临界尺寸。
*应用
在半导体制造业中刻蚀传导材料（多晶硅，多晶硅化物和金属）和介质
材料
多层薄膜刻蚀
干净无污染物的过程
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