ALD - B2B貿易平臺 - 王牌供應商

ALD

ALD
Al2O3、TiN、Ru、HfO2

ALD 是最先进和最有发展前景的薄膜技术之一。由于用它制备的薄膜具
有无杂质、极佳的阶梯覆盖效果、良好的均匀性和较低的加工温度等卓
越品质，ALD 被人们认为是在不远的将来取代传统的化学气相沉积技
术 (CVD) 和物理气相沉积技术 (PVD) 的薄膜技术。
周星公司的 ALD 发展战略是开发新的设备概念，以满足微型设备制造
商的各种需要。独特的设备概念之一是单晶片型。该类型适合极薄薄膜
的沉积以及与其它薄膜工艺的一体化。另一新概念是适合厚膜沉积和独
立工艺的半批量型。

周星公司的 ALD 系统在提供优质薄膜的同时将保证最大的出产能力。

1.CYCLONE ALD 系统
CYCLONETM ALD 最大的弱点是出产量低。为最大程度地提高 ALD 的
出产量，周星公司开发了半批量型 ALD 系统。批量为四块晶片。另
外，还开发了旋转喷射器，以覆盖较大的沉积面。旋转喷射器的优点是
气体分布非常均匀，沉积率更高，并最大程度地减少了 ALD 阀门控
制。CYCLONETM ALD 保证提供世界最高的出产能力。

SPECIFICATION
- Source Consumption : TMA < 0.04 g/wf @ 40Å, for 40:1 A/R
- Monitoring TAT : < 15min
- CoO : Low
- Process Availability : Laminate & Alloy Process, ALD & CVD
- Source Depletion : Free
- Backside Deposition : Free
- In-situ Plasma Treatment : Available
- Film Quality : Carbon < 1at% in Al2O3, CI < 1at% in TiN
- Throughput : 62 wfs/hr.sys. (@ 40Å, for 40:1 A/R)
- Process Temperature : 100℃~ 550℃

2.尤利卡 ALD 系统
EUREKATM ALD 周星公司为单晶片型系统开发出了独特的喷射器和反
应器。这种喷射器位于顶盖的中心（称为“顶喷射器”）。与淋喷头式
喷射器相比，它的结构非常简单。由于该种喷射器的容积较小，对源物
质和反应物进行清洗所用的时间相对较少。反应器的结构也比层流型
ALD 系统简单得多。因此，这种单晶片型系统确保了易维护性、高可靠
性和可重复性。此系统的另一个重要优点是既可以实行纯 ALD 工艺，
也可以实行拟 ALD 工艺，而淋喷头型和层流型系统只能实行纯 ALD 工
艺和拟 ALD 工艺中的一种。

我们提供应用于 90 纳米以下技术的前沿技术。

高 K 值电介质：Al2O3、HfO2 和 Al2O3&HfO2 叠层
- 采用 0.1 m 以上技术的 DRAM 电容器电介质
- 用于芯片系统的嵌入式 DRAM 电容器电介质
- 用于纳米技术的栅电介质
阻隔金属和电容器电极：锡
- 适于深窄金属加工的阻隔金属
- 用于 DRAM 和 E/DRAM 的底端及顶端电极