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Tricent-Metal CVD
1.可沉積平滑表面之鉑薄膜(Ra=3.5nm on 20nm film)及具低阻質(
~10μΩ)特性
2.高階梯覆蓋度
3. 群組工具設計(Cluster Tool Architecture)容許在自動晶片處理平台上
結合高達四種組件運作
4. SEMI/MESC-based Cluster Tool Controller : Graphical User
Interface (GUI) based on Sematech guidel.
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